Перспективные катализаторы для микроэлектроники создали российские учёные, сообщает пресс-служба ННГУ им.Лобачевского.

Новый метод прямого синтеза диоксида кремния, разработанный учёными НИИ химии Университета Лобачевского, Института металлорганической химии РАН им. Г.А. Разуваева и Российского химико-технологического университета (РХТУ) им. Д.И. Менделеева, позволяет создавать высокоэффективные катализаторы для синтеза ключевого компонента современной микроэлектроники – моносилана – предшественника полупроводникового «электронного» кремния.

Пористые сорбенты на основе диоксида кремния российские химики впервые получили методом прямого, непрерывного и высокопроизводительного синтеза –индукционной потоковой левитации.

Индукционная левитация кремния достигалась путём двухступенчатого нагрева: на первой ступени увеличивалась проводимость кремния, затем он переводился в состояние левитации и расплава в противоточном индукторе.

"Разработка позволяет создавать поток атомарного пара из объёмного образца кремния, с последующей конденсацией и окислением в атмосфере кислорода, и образованием наночастиц. На основе полученного диоксида кремния удалось получить катализаторы с высокой каталитической активностью в реакции диспропорционирования трихлорсилана, в результате которой образуется моносилан, а далее поли- и монокристаллический кремний – высокочистые и дорогостоящие компоненты современной микроэлектроники", – сообщил один из авторов проекта, заведующий лабораторией инженерной химии НИИ химии ННГУ им. Н. И. Лобачевского Андрей Воротынцев.

Разработанный метод позволяет получать наносферический и наноструктурированный диоксид кремния (кремнезем) производительностью до 100 г/ч в непрерывном бесконтактном режиме, значительно превосходя ранее известные способы синтеза кремнеземов.

Такие типы кремнеземов являются перспективным носителями активных центров катализаторов с высокой удельной площадью поверхности и возможностью придания им формы для применения в промышленных процессах.